STD5NM60T4
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STD5NM60 View All Specifications
- 产品目录绘图:
ST Series DPAK
- 标准包装:
1
- 系列:
MDmesh&trade
- ;FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:
标准
- 漏极至源极电压(Vdss):
600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
5A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
1 欧姆 @ 2.5A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):
5V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:
18nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:
400pF @ 25V
- 功率 - 最大:
96W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:
D-Pak
- 包装:
标准包装
- 产品目录页面:
1542 (CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
497-3163-6
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 1 Ohms
配置: Single 最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252
封装: Reel
下降时间: 10 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) : 2.4 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 96 W
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 23 ns
购买须知 |
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