STD5NM60-1

商品描述

其它有关文件：
STD5NM60 View All Specifications
标准包装：
75
系列：
MDmesh&trade
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
5A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
1 欧姆 @ 2.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
18nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
400pF @ 25V
功率 - 最大：
96W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB
供应商设备封装：
I-Pak
包装：
管件
其它名称：
497-12786-5STD5NM60-1-ND

STD5NM60-1 - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 5A IPAK
场效应管 MOSFET N沟道 600V 5A IPAK 晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 5A
漏源电压, Vds: 600V
在电阻RDS（上）: 0.9ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 96W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: TO-251
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
工作温度范围: -55°C 至 +150°C

购买须知

1：由于型号种类繁多，价格时有更新，请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。
2：买家咨询的时候请务必说清楚（完整型号、封装、数量），以便我们及时报价。
3：买家无提前咨询而下单的，如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的，我司不承担任何责任，一律作退款处理。
4：生产型企业可申请月结和货到付款。
5：千元以上免运费(特殊商品除外)。
6：报价不含任何销售税，计算含税价请*1.17。

地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室电话： 075583265028 传真：0755-83267787 邮箱：ethan@yichuanghui.com