IRLL110TRPBF

商品描述

产品目录绘图：
IR(F，L)L Series Top
IR(F，L)L Series Side
标准包装：
1
系列：
-
FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
1.5A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
540 毫欧 @ 900mA，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
6.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
250pF @ 25V
功率 - 最大：
2W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装：
SOT-223
包装：
标准包装
产品目录页面：
1527 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
IRLL110PBFDKR

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS:   详细信息

晶体管极性: N-Channel

汲极/源极击穿电压: 100 V

闸/源击穿电压: +/- 10 V

漏极连续电流: 1.5 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.54 Ohms

配置: Single Dual Drain

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-223

封装: Reel

下降时间: 18 ns

最小工作温度: - 55 C

功率耗散: 2 W

上升时间: 47 ns

工厂包装数量: 2500

典型关闭延迟时间: 16 ns

购买须知

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