IRLL110

商品描述

产品目录绘图：
IR(F,L)L Series Top
IR(F,L)L Series Side
标准包装：
4,000
系列：
-
FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
1.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
540 毫欧 @ 900mA，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
6.1nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
250pF @ 25V
功率 - 最大：
2W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装：
SOT-223
包装：
管件
产品目录页面：
1527 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
*IRLL110

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

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