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IRLL3303PBF
商品描述- 标准包装：
80
- 系列：
HEXFET?
- ;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
4.6A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
31 毫欧 @ 4.6A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
50nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
840pF @ 25V
- 功率 - 最大：
1W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：
SOT-223
- 包装：
管件
产品技术参数
| 典型关断延迟时间 | 33 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7.2 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 840 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.7mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.1 W | |
| 最大栅源电压 | ±16 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.031 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 6.5 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双漏极、单 | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 高度 | 1.7mm |
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