IRF7476TRPBF

商品描述

标准包装：
1
系列：
HEXFET?
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
15A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
8 毫欧 @ 15A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1.9V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
40nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
2550pF @ 6V
功率 - 最大：
2.5W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SO
包装：
标准包装
其它名称：
IRF7476TRPBFDKR

IRF7476TRPBF 8-SOIC

15000毫安，12 V，N，Si，小信号，MOSFET，ms-012aa
封装：无铅，8
型功率MOSFET
1号元素
极性氮
信道模式增强
在研究0.008ohm漏源
在12V的漏源电压
栅源电压（最大）±12V
漏电流连续15A
耗散功率2.5W
工作温度范围- 55C到150C
工作温度分类军事
安装表面贴装
引脚数8
封装型SOIC
包装胶带和卷轴

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