IRF7476PBF
商品描述- 标准包装:
95
- 系列:
HEXFET?
- ;FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
12V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
15A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
8 毫欧 @ 15A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):
1.9V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:
40nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:
2550pF @ 6V
- 功率 - 最大:
2.5W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:
8-SO
- 包装:
管件
MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC
IRF7476PBF - 场效应管 MOSFET N 12V SO-8
场效应管 MOSFET N 12V SO-8 晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 15A
漏源电压, Vds: 12V
在电阻RDS(上): 8mohm
电压 @ Rds测量: 4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1.9V
功耗, Pd: 2.5W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOIC
针脚数: 8
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 2.5W
功耗, Pd: 2.5W
封装/箱盒: SOIC
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
漏极电流, Id 最大值: 15A
漏极连续电流, Id @ 25°C: 15A
漏极连续电流, Id @ 70°C: 12
热阻 Rth: 50
电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
电压, Vds: 12V
电压, Vds 典型值: 12V
电压, Vgs 最高: 1.9V
电流, Idm 脉冲: 120A
表面安装器件: SMD
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