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2SD2114KT146V

  • 厂家:Rohm Semiconductor
  • 封装/批号:TO-236
  • 数量:66000
  • 价格:电议
  • 类型:IC现货
  • pdf: 2SD2114KT146V

2SD2114KT146V

商品描述
  • 产品目录绘图:

    SOT-346 Package Top

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    -

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):

    500mA

  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):

    20V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):

    400mV @ 20mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大):

    -

  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):

    820 @ 10mA,3V

  • 功率 - 最大:

    200mW

  • 频率 - 转换:

    350MHz

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    3-SMT

  • 包装:

    标准包装

  • 产品目录页面:

    1644 (CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    2SD2114KT146VDKR

人类的记忆能够像计算机数据一样上传和存储吗?科学家指出,虽然目前无法实现,但相信未来几十年我们能够以这种方法存储记忆,并且能够恢复记忆。这将像科幻小说中的情节,神经系统科学的新发现,以及计算机科学和人工智能的最新突破,促进计算机技术和人类大脑能够完美结合在一起。

美国南加州大学神经系统科学家特德·格吉尔(Ted Berger)说:“这显然超出了我们当前的技术能力,虽然我们目前开始研究复制大脑的性能,但仍需要几十年才能实现。”

格吉尔和维克-森林大学的山姆·戴德怀勒(Sam Deadwyler)进行一项实验,通过电子信号刺激某一部分海马体,能够真实地在老鼠大脑中植入记忆。格吉尔说:“我们能够看到朝向某一物体的空间和时空特殊模式和活跃性,如果一个动物能够记忆一瓶红牛饮料被一瓶可乐替换,这将是一个与众不同的空间活跃性,我们能够首次发现这些记忆类型。”

格吉尔指出,同时我们停止海马体的工作能力,起到阻止大脑记忆的作用,之后采用电子信号刺激大脑某一区域形成“新的记忆”。目前,我们已在猴子和老鼠体内证实其可行性,我们认为未来这也将适用于人类。

 

型号:2SD2114KT146V


批号:13+

热线:400-800-0307

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网站:www.icqjd.com

 

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