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IPP042N03LG
商品描述- 数据列表：
IP(B
- 产品相片：
P)042N03L G
- 标准包装 ?：
TO-220-3
- 类别：
500
- 家庭：
分立半导体产品
- 系列：
FET - 单
- 包装 ?：
OptiMOS??
- FET 类型：
管件 ?
- FET 功能：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- 漏源极电压（Vdss）：
逻辑电平门
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
30V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
70A（Tc）
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
4.2 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：
2.2V @ 250μA
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：
38nC @ 10V
- 功率 - 最大值：
3900pF @ 15V
- 安装类型：
79W
- 封装/外壳：
通孔
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 产品目录页面：
TO-220-3
- 其它名称：
1618 (CN2011-ZH PDF)
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