IRF7468TRPBF

商品描述

产品目录绘图：
IR Hexfet 8-SOIC
标准包装：
1
系列：
HEXFET?
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
9.4A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
15.5 毫欧 @ 9.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
34nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
2460pF @ 20V
功率 - 最大：
2.5W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SO
包装：
标准包装
其它名称：
IRF7468PBFDKR

IRF7468TRPBF 制造商：国际整流器
有关细节
极性：N沟道晶体管
漏源击穿电压：40 V
栅源击穿电压：12 V
连续漏电流：9
漏源电阻RDS（上）：17毫欧姆
安装方式：SMT贴片/
案例：采用SOIC - 8封装/
包装：卷
门电荷Qg：23数控
功耗：2.5瓦
工厂包装数量：4000

购买须知

1：由于型号种类繁多，价格时有更新，请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。
2：买家咨询的时候请务必说清楚（完整型号、封装、数量），以便我们及时报价。
3：买家无提前咨询而下单的，如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的，我司不承担任何责任，一律作退款处理。
4：生产型企业可申请月结和货到付款。
5：千元以上免运费(特殊商品除外)。
6：报价不含任何销售税，计算含税价请*1.17。

地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室电话： 075583265028 传真：0755-83267787 邮箱：ethan@yichuanghui.com