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IRLR7807ZPBF
商品描述- 标准包装：
75
- 系列：
HEXFET?
- ;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
43A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
13.8 毫欧 @ 15A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2.25V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
11nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
780pF @ 15V
- 功率 - 最大：
40W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：
D-Pak
- 包装：
管件
产品技术参数
| 典型关断延迟时间 | 9.8 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7.1 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 780 pF V @ 15 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 40000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.014 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 43 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.39mm |
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