EPC1011

商品描述

应用说明：
Thermal Performance of eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETS
Using eGaN® FETs
产品培训模块：
eGaN™ Basics
eGaN™ Power Transistors Characteristics
Drivng eGaN™ Power Transistors
eGaN FETs for DC-DC Conversion
产品变化通告：
EPC1xxx Series Obsolescence 09/Sept/2011
RoHS指令信息：
Lead Free/RoHS Statement
标准包装：
1
系列：
eGaN®
;FET 型：
GaNFET N 通道，氮化镓
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
25 毫欧 @ 12A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2.5V @ 3mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
6.7nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
440pF @ 75V
功率 - 最大：
-
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
7-LGA
供应商设备封装：
7-LGA（3.6x1.6）
包装：
标准包装
产品目录页面：
1599 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
917-1005-6

TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

购买须知

1：由于型号种类繁多，价格时有更新，请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。
2：买家咨询的时候请务必说清楚（完整型号、封装、数量），以便我们及时报价。
3：买家无提前咨询而下单的，如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的，我司不承担任何责任，一律作退款处理。
4：生产型企业可申请月结和货到付款。
5：千元以上免运费(特殊商品除外)。
6：报价不含任何销售税，计算含税价请*1.17。

地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室电话： 075583265028 传真：0755-83267787 邮箱：ethan@yichuanghui.com