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STD5NK50ZT4
商品描述- 其它有关文件：
STD5NK50Z View All Specifications
- 产品目录绘图：
ST Series DPAK
- 标准包装：
1
- 系列：
SuperMESH&trade
- ;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：
标准
- 漏极至源极电压(Vdss)：
500V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
4.4A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4.5V @ 50μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
28nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
535pF @ 25V
- 功率 - 最大：
70W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：
D-Pak
- 包装：
标准包装
- 产品目录页面：
1542 (CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
497-3520-6
场效应管 MOSFET N D-PAK 晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 4.4A
漏源电压, Vds: 500V
在电阻RDS（上）: 1.5ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 3.75V
功耗, Pd: 70W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: TO-252
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 70W
功耗, Pd: 70W
封装/箱盒: DPAK
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
漏极电流, Id 最大值: 4.4A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds: 500V
电压, Vds 典型值: 500V
电压, Vgs 最高: 3.75V
电流, Idm 脉冲: 17.6A
表面安装器件: SMD
通态电阻 @ Vgs = 10V: 1.5ohm
阈值电压, Vgs th 最低: 3V
阈值电压, Vgs th 最高: 4.5V
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