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STD5NK60ZT4
商品描述- 其它有关文件：
STD5NK60Z View All Specifications
- 产品目录绘图：
ST Series DPAK
- 标准包装：
1
- 系列：
SuperMESH&trade
- ;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：
标准
- 漏极至源极电压(Vdss)：
600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
5A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
1.6 欧姆 @ 2.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4.5V @ 50μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
34nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
690pF @ 25V
- 功率 - 最大：
90W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：
D-Pak
- 包装：
标准包装
- 产品目录页面：
1542 (CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
497-5890-6
典型接通延迟时间 16 ns
典型栅极电荷@Vgs 26 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds 690 pF V @ 25
安装类型 表面贴装
宽度 6.2mm
封装类型 DPAK
尺寸 6.6 x 6.2 x 2.4mm
引脚数目 3
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 90 W
最大栅源电压 ±30 V
最大漏源电压 600 V
最大漏源电阻值 1.6 Ω
最大连续漏极电流 5 A
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 1
类别 功率 MOSFET
通道模式 增强
通道类型 N
配置 单
长度 6.6mm
高度 2.4mm
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