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STB9NK60ZDT4
商品描述- 其它有关文件：
STB9NK60ZD View All Specifications
- 产品目录绘图：
ST Series D2PAK
- 标准包装：
1
- 系列：
SuperMESH&trade
- ;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：
标准
- 漏极至源极电压(Vdss)：
600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
7A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
950 毫欧 @ 3.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4.5V @ 100μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
53nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
1110pF @ 25V
- 功率 - 最大：
125W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：
D2PAK
- 包装：
标准包装
- 产品目录页面：
1542 (CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
497-4325-6
反式MOSFET N沟道600V 7a 3引脚（2 + TAB）采用D2PAK T／R
型功率MOSFET
1号元素
极性氮
信道模式增强
在研究0.95ohm漏源
上电压600V的漏源
栅源电压（最大）±30V
漏电流连续7a
耗散功率125W
工作温度范围- 55C到150C
工作温度分类军事引脚数2 +标签
包装采用D2PAK
包装胶带和卷轴
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