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  • IPB60R190C6
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IPB60R190C6

  • 厂家:Infineon Technologies
  • 封装/批号:2017+
  • 数量:库存充足(量大可订货)
  • 价格:电议
  • 类型:IC现货
  • pdf: IPB60R190C6

IPB60R190C6

商品描述
  • 产品培训模块:

    CoolMOS™ CP Switching Behavior
    CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters

  • 产品目录绘图:

    Mosfets TO-263

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    CoolMOS&trade

  • ;FET 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • FET 特点:

    标准

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    600V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    20.2A

  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:

    190 毫欧 @ 9.5A,10V

  • Id 时的 Vgs(th)(最大):

    3.5V @ 630µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    63nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    1400pF @ 100V

  • 功率 - 最大:

    151W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

  • 供应商设备封装:

    PG-TO263-2

  • 包装:

    标准包装

  • 产品目录页面:

    1616 (CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    IPB60R190C6INDKR

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
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