IRL640STRLPBF

商品描述

标准包装：
1
系列：
-
FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
17A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
180 毫欧 @ 10A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
66nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
1800pF @ 25V
功率 - 最大：
3.1W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：
D2PAK
包装：
标准包装
其它名称：
IRL640STRLPBFDKR

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS:   详细信息

晶体管极性: N-Channel

汲极/源极击穿电压: 200 V

闸/源击穿电压: +/- 10 V

漏极连续电流: 17 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.18 Ohms

配置: Single

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: D2PAK

封装: Reel

下降时间: 52 ns

最小工作温度: - 55 C

功率耗散: 3.1 W

上升时间: 83 ns

工厂包装数量: 800

典型关闭延迟时间: 44 ns

购买须知

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