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IRF8010STRLPBF

  • 厂家:International Rectifier
  • 封装/批号:D2-PAK
  • 数量:10000
  • 价格:电议
  • 类型:IC现货
  • pdf: IRF8010STRLPBF

IRF8010STRLPBF

商品描述
  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    HEXFET?

  • ;FET 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • FET 特点:

    标准

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    100V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    80A

  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:

    15 毫欧 @ 45A,10V

  • Id 时的 Vgs(th)(最大):

    4V @ 250μA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    120nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    3830pF @ 25V

  • 功率 - 最大:

    260W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB

  • 供应商设备封装:

    D2PAK

  • 包装:

    标准包装

  • 其它名称:

    IRF8010STRLPBFDKR

IRF8010STRLPBF - 场效应管 MOSFET N 100V D2-PAK
场效应管 MOSFET N 100V D2-PAK 晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 80A
漏源电压, Vds: 100V
在电阻RDS(上): 15mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 260W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-263
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 260W
功耗, Pd: 260W
封装/箱盒: D2-PAK
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
漏极电流, Id 最大值: 80A
漏极连续电流, Id @ 100°C: 57A
漏极连续电流, Id @ 25°C: 80A
热阻 Rth: 0.57
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds: 100V
电压, Vds 典型值: 100V
电压, Vgs 最高: 20V
电流, Idm 脉冲: 320A
表面安装器件: SMD
阈值电压, Vgs th 最低: 2V
阈值电压, Vgs th 最高: 4V
购买须知 1:由于型号种类繁多,价格时有更新,请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。
2:买家咨询的时候请务必说清楚(完整型号、封装、数量),以便我们及时报价。
3:买家无提前咨询而下单的,如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的,我司不承担任何责任,一律作退款处理。
4:生产型企业可申请月结和货到付款。
5:千元以上免运费(特殊商品除外)。
6:报价不含任何销售税,计算含税价请*1.17。

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