IPB65R110CFD

商品描述

标准包装：
1
系列：
CoolMOS&trade
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
31.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
110 毫欧 @ 12.7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4.5V @ 1.3mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
118nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
3240pF @ 100V
功率 - 最大：
277.8W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：
PG-TO263
包装：
标准包装
其它名称：
IPB65R110CFDDKR

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263

购买须知

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