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SI2301CDS-T1-E3
商品描述- 标准包装：
1
- 系列：
TrenchFET?
- ;FET 型：
MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：
标准
- 漏极至源极电压(Vdss)：
20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
3.1A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
10nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
405pF @ 10V
- 功率 - 最大：
1.6W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 包装：
标准包装
- 其它名称：
SI2301CDS-T1-E3DKR
SI2301CDS-T1-E3 2.8个，20伏，0.12欧姆，P，Si，功率MOSFET
SOT23-3
原装现货，低价热销。
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