IRF9Z24SPBF

商品描述

标准包装：
1
系列：
-
FET 型：
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
11A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
280 毫欧 @ 6.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
570pF @ 25V
功率 - 最大：
3.7W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：
D2PAK
包装：
管件
其它名称：
IRF9Z24SPBFCTIRF9Z24SPBFCT-ND

IRF9Z24SPBF 11个，60伏，0.28欧姆，P，Si，功率MOSFET，to-263ab，封装：TO - 263，d2pak-3

汉王N620电纸书升级包1.039版（2010年11月26日发布）系统版本：V1.69软件版本：N620-1.039备注：1、升级此版本之前，请进入“系统设置”- >选择系统维护- >设备信息，查看“系统版本”，如果您的系统版本为1.67，软件版本为N620-1.036,可直接升级此版本，如高于此版本不需要升级。2、升级包包括6个文件：（hwepd.cck、hwepd.upd、update.bin、update.cde为升级文件；tts.irf为更新资源包，请全部拷贝到sd卡根目录）优化功能：1、优化电源电量显示。2、优化tts朗读相关问题。3、优化软件升级问题。4、修改Arial字体。

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