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  • IRFB13N50APBF
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IRFB13N50APBF

  • 厂家:Vishay Siliconix
  • 封装/批号:TO-220
  • 数量:10000
  • 价格:电议
  • 类型:IC现货
  • pdf: IRFB13N50APBF

IRFB13N50APBF

商品描述
  • 产品目录绘图:

    IR(F,L)x Series Side 1
    IR(F,L)x Series Side 2

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    -

  • FET 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • FET 特点:

    标准

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    500V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    14A

  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:

    450 毫欧 @ 8.4A,10V

  • Id 时的 Vgs(th)(最大):

    4V @ 250μA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    81nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    1910pF @ 25V

  • 功率 - 最大:

    250W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商设备封装:

    TO-220AB

  • 包装:

    管件

  • 产品目录页面:

    1528 (CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    *IRFB13N50APBF

IRFB13N50APBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 500V
场效应管 MOSFET N TO-220 500V 14A 晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 14A
漏源电压, Vds: 500V
在电阻RDS(上): 450mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 250W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
MSL: (不适用)
封装/箱盒: TO-220AB
???作温度范围: -55°C 至 +150°C
漏极电流, Id 最大值: 14A
热阻, 结点至外壳A: 0.5°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 500V
电压, Vgs 最高: 30V
电流, Idm 脉冲: 56A
购买须知 1:由于型号种类繁多,价格时有更新,请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。
2:买家咨询的时候请务必说清楚(完整型号、封装、数量),以便我们及时报价。
3:买家无提前咨询而下单的,如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的,我司不承担任何责任,一律作退款处理。
4:生产型企业可申请月结和货到付款。
5:千元以上免运费(特殊商品除外)。
6:报价不含任何销售税,计算含税价请*1.17。

地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室 电话: 075583265028 传真:0755-83267787 邮箱 :ethan@yichuanghui.com