IRFB13N50APBF
商品描述- 产品目录绘图:
IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2 - 标准包装:
1,000
- 系列:
-
- FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:
标准
- 漏极至源极电压(Vdss):
500V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
14A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
450 毫欧 @ 8.4A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):
4V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:
81nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:
1910pF @ 25V
- 功率 - 最大:
250W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商设备封装:
TO-220AB
- 包装:
管件
- 产品目录页面:
1528 (CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
*IRFB13N50APBF
场效应管 MOSFET N TO-220 500V 14A 晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 14A
漏源电压, Vds: 500V
在电阻RDS(上): 450mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 250W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
MSL: (不适用)
封装/箱盒: TO-220AB
???作温度范围: -55°C 至 +150°C
漏极电流, Id 最大值: 14A
热阻, 结点至外壳A: 0.5°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 500V
电压, Vgs 最高: 30V
电流, Idm 脉冲: 56A
购买须知 |
1:由于型号种类繁多,价格时有更新,请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。 2:买家咨询的时候请务必说清楚(完整型号、封装、数量),以便我们及时报价。 3:买家无提前咨询而下单的,如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的,我司不承担任何责任,一律作退款处理。 4:生产型企业可申请月结和货到付款。 5:千元以上免运费(特殊商品除外)。 6:报价不含任何销售税,计算含税价请*1.17。 |