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IRF740ASPBF
商品描述- 标准包装：
1，000
- 系列：
-
- FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：
标准
- 漏极至源极电压(Vdss)：
400V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
10A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
550 毫欧 @ 6A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
36nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
1030pF @ 25V
- 功率 - 最大：
3.1W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：
D2PAK
- 包装：
管件
- 其它名称：
*IRF740ASPBF
场效应管 MOSFET N D2-PAK 400V 10A 晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 10A
漏源电压, Vds: 400V
在电阻RDS（上）: 550mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 125W
封装类型: TO-263
针脚数: 3
功耗, Pd: 125W
功耗, Pd: 125W
封装/箱盒: D2-PAK
封装类型, 其它: D2-PAK
漏极电流, Id 最??值: 10A
热阻, 结点至外壳A: 1°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds: 400V
电压, Vds 典型值: 400V
电压, Vgs 最高: 30V
电流, Idm 脉冲: 40A
通态电阻 @ Vgs = 10V: 550mohm
阈值电压, Vgs th 最高: 4V
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