2SK3065T100
商品描述- 产品目录绘图:
xT100 Series SOT-89
- 特色产品:
ECOMOS? Series MOSFETs
- 标准包装:
1
- 系列:
-
- FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
2A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
320 毫欧 @ 1A,4V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):
1.5V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:
-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:
160pF @ 10V
- 功率 - 最大:
500mW
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商设备封装:
MPT3
- 包装:
标准包装
- 产品目录页面:
1637 (CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
2SK3065T100DKR
麻省理工学院的埃德·博伊登(Ed Boyden)带领一支人工神经生物学研究小组研制了最新工具来探索大脑组织,近年来,他和同事发现海藻中的蛋白质能够转换光线成为电流。当紫红质通道蛋白(channelrhodopsin)植入某些神经细胞,通过光线便能触发它们。他们基于这种方式能够产生电子脉冲之后进行绘制,形成计算机代码形式的记忆。
通过使用这种光电蛋白质触发和停止神经细胞反应,博伊登希望不久能够制造一种“大脑细胞开关”,有助于治疗大脑紊乱患者。他指出,过去的研究能够停止大脑神经细胞工作,我们能够回放大脑活动类型,观察它们如何发生响应。你需要添加更多的控制,能够阅读、建造和绘制大脑的分子等级,但目前仍无法实现真实复制和上传一整套大脑记忆。
型号:2SK3065T100
批号:13+
热线:400-800-0307
电话:0755-83267816
传真:0755-83267787
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