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IRLML2803TRPBF
商品描述- 产品目录绘图：
IR Hexfet Micro-3， SOT-23
- 标准包装：
1
- 系列：
HEXFET?
- ;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
1.2A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
250 毫欧 @ 910mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
5nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
85pF @ 25V
- 功率 - 最大：
540mW
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：
Micro3?/SOT-23
- 包装：
标准包装
- 产品目录页面：
1522 (CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
IRLML2803PBFDKR
产品信息
场效应管 MOSFET N 逻辑电平 SOT-23 晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 850mA
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS（上）: 300mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
功耗, Pd: 400mW
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-23
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
SMD标号: 1B
功耗, Pd: 400mW
功耗, Pd: 400mW
器件标记: IRLML2803PBF
外宽: 3.05mm
外部深度: 2.5mm
外部长度/高度: 1.12mm
封装/箱盒: SOT-23
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
带子宽度: 8mm
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: 850mA
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 30V
电压, Vgs 最高: 1V
电流, Idm 脉冲: 7.3A
结温, Tj 最小值: -55°C
阈值电压, Vgs th 最高: 2.5V
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MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
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MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
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IRLML2803TRPBF 产品信息场效应管 ...
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