IRLML6302TRPBF

商品描述

产品目录绘图：
IR Hexfet Micro-3， SOT-23
标准包装：
1
系列：
HEXFET?
;FET 型：
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
780mA
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
600 毫欧 @ 610mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
3.6nC @ 4.45V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
97pF @ 15V
功率 - 最大：
540mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
Micro3?/SOT-23
包装：
标准包装
产品目录页面：
1520 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
IRLML6302PBFDKR

制造商: International Rectifier

RoHS:   详细信息

晶体管极性: P-Channel

汲极/源极击穿电压: - 20 V

闸/源击穿电压: 12 V

漏极连续电流: - 0.62 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）: 600 mOhms

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23

封装: Reel

栅极电荷 Qg: 2.4 nC

功率耗散: 0.54 W

工厂包装数量: 3000

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