IRF7606TRPBF

商品描述

产品目录绘图：
IR Hexfet Micro-8
标准包装：
1
系列：
HEXFET?
;FET 型：
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
3.6A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
90 毫欧 @ 2.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
520pF @ 25V
功率 - 最大：
1.8W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商设备封装：
Micro8?
包装：
标准包装
产品目录页面：
1520 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
IRF7606TRPBFDKR

RoHS:   详细信息
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: - 3.6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 90 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Micro-8
封装: Reel
下降时间: 39 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） : 2.3 S
栅极电荷 Qg: 20 nC
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.8 W
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 4000
典型关闭延迟时间: 43 ns

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