IRF7601TRPBF

商品描述

标准包装：
1
系列：
HEXFET?
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
5.7A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
35 毫欧 @ 3.8A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
700mV @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
22nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
650pF @ 15V
功率 - 最大：
1.8W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商设备封装：
Micro8?
包装：
标准包装
其它名称：
IRF7601TRPBFDKR

MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8

型功率MOSFET

1号元素

极性氮

信道模式增强

在研究0.035ohm漏源

在20V的漏源电压

栅源电压（最大）±12V

漏电流连续5.7a

功耗1.8W

工作温度范围- 55C到150C

工作温度分类军事

安装表面贴装

引脚数8

封装式微型

包装胶带和卷轴

购买须知

1：由于型号种类繁多，价格时有更新，请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。
2：买家咨询的时候请务必说清楚（完整型号、封装、数量），以便我们及时报价。
3：买家无提前咨询而下单的，如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的，我司不承担任何责任，一律作退款处理。
4：生产型企业可申请月结和货到付款。
5：千元以上免运费(特殊商品除外)。
6：报价不含任何销售税，计算含税价请*1.17。

地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室电话： 075583265028 传真：0755-83267787 邮箱：ethan@yichuanghui.com