IRF8714TRPBF

商品描述

产品目录绘图：
IR Hexfet 8-SOIC
标准包装：
1
系列：
HEXFET?
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
14A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
8.7 毫欧 @ 14A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2.35V @ 25μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
12nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
1020pF @ 15V
功率 - 最大：
2.5W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SO
包装：
标准包装
产品目录页面：
1523 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
IRF8714TRPBFDKR

型功率MOSFET
1号元素
极性氮
信道模式增强
在研究0.0087ohm漏源
在30V的漏源电压
栅源电压（最大）±20V
漏电流连续第14A
耗散功率2.5W
工作温度范围- 55C到150C
工作温度分类军事
安装表面贴装
引脚数8
封装型SOIC
包装胶带和卷轴

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