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IRLL2705TRPBF
商品描述- 产品目录绘图：
IR Hexfet SOT-223
- 标准包装：
1
- 系列：
HEXFET?
- ;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
3.8A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
40 毫欧 @ 3.8A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
48nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
870pF @ 25V
- 功率 - 最大：
1W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商设备封装：
SOT-223
- 包装：
标准包装
- 产品目录页面：
1524 (CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
IRLL2705PBFDKR
Single N-Channel 55 V 2.1 W 32 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223-3
28nm SoC开发成本高出78%，盈利
Semicon估计，推出系统芯片所需的软件开发成本，目前已经远高于IC设计的成本了。
Semico Research指出，尽管在28nm节点的SoC设计成本比40nm节点时提高了78%以上，但用于编写与检查所需软件成本更上涨了102%。
软件所需负担的成本预计每年都将增加近一倍。Semico预测，在10nm芯片制程节点以前，每年用于SoC软件开发的成本年复合成长率(CAGR)约79%。整合分离式IP模组于当代SoC中的成本年复合成长率(CAGR)也达到了77.2%。
对于芯片开发商而言，好消息是Semico公司预期芯片设计成本的增加将较缓和。20nm节点时的SoC设计成本预计将较28nm节点时增加48%，到了14nm时将增加31%，而在10nm节点时增加约35%。
由于软件负担以及整合多方IP核心的成本提高，预计在突破新制程节点时的先进多核心设计将达到最高成本。Semico表示，同一制程节点时所衍生的SoC设计成本都只是首次开发成本的一小部份。
同时，专为某一既有节点建置的新设计，其成本将随着时间的进展逐渐大幅降低。在14nm节点实现商用化以前，45nm节点高性能多核心SoC设计成本的CAGR为-12.7%。
Semico并估计以20nm制造的芯片售价约20美元，因而必须达到920万片的出货量，实现超过1.8亿美元的营收，方能取得盈亏平衡。
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MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
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MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
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IRLL2705TRPBF Single N-Channel 55 V...
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