IRLL024ZTRPBF
商品描述- 标准包装:
2,500
- 系列:
HEXFET?
- ;FET 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
5A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:
60 毫欧 @ 3A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):
3V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:
11nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:
380pF @ 25V
- 功率 - 最大:
1W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:
SOT-223
- 包装:
带卷 (TR)
- 其它名称:
IRLL024ZTRPBF-NDIRLL024ZTRPBFTR
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RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 55 V
漏极连续电流: 5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 60 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223
封装: Reel
下降时间: 15 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) : 7.5 S
栅极电荷 Qg: 11 nC
功率耗散: 3.8 W
上升时间: 33 ns
工厂包装数量: 2500
购买须知 |
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