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IRLL024ZTRPBF

  • 厂家:International Rectifier
  • 封装/批号:SOT-223
  • 数量:5000
  • 价格:电议
  • 类型:IC现货
  • pdf: IRLL024ZTRPBF

IRLL024ZTRPBF

商品描述
  • 标准包装:

    2,500

  • 系列:

    HEXFET?

  • ;FET 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • FET 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    55V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    5A

  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:

    60 毫欧 @ 3A,10V

  • Id 时的 Vgs(th)(最大):

    3V @ 250μA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    11nC @ 5V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    380pF @ 25V

  • 功率 - 最大:

    1W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商设备封装:

    SOT-223

  • 包装:

    带卷 (TR)

  • 其它名称:

    IRLL024ZTRPBF-NDIRLL024ZTRPBFTR

IRLL024ZTRPBF

制造商: International Rectifier
RoHS: 符合RoHS 详细信息
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 55 V
漏极连续电流: 5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 60 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223
封装: Reel
下降时间: 15 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) : 7.5 S
栅极电荷 Qg: 11 nC
功率耗散: 3.8 W
上升时间: 33 ns
工厂包装数量: 2500
制造商:  International Rectifier   
 
RoHS:   详细信息  
 
晶体管极性:  N-Channel   
 
汲极/源极击穿电压:  55 V   
 
漏极连续电流:  5 A   
 
电阻汲极/源极 RDS(导通):  60 mOhms   
 
配置:  Single   
 
最大工作温度:  + 150 C   
 
安装风格:  SMD/SMT   
 
封装 / 箱体:  SOT-223   
 
封装:  Reel   
 
下降时间:  15 ns  
 
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :  7.5 S  
 
栅极电荷 Qg:  11 nC  
 
功率耗散:  3.8 W  
 
上升时间:  33 ns  
 
工厂包装数量:  2500 
 

购买须知 1:由于型号种类繁多,价格时有更新,请顾客一定要与我们沟通咨询后才可下单。
2:买家咨询的时候请务必说清楚(完整型号、封装、数量),以便我们及时报价。
3:买家无提前咨询而下单的,如果由于缺货或者涨价而导致无法发货的,我司不承担任何责任,一律作退款处理。
4:生产型企业可申请月结和货到付款。
5:千元以上免运费(特殊商品除外)。
6:报价不含任何销售税,计算含税价请*1.17。

地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室 电话: 075583265028 传真:0755-83267787 邮箱 :ethan@yichuanghui.com