IRF9530NSTRLPBF

商品描述

标准包装：
1
系列：
HEXFET?
;FET 型：
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
14A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
200 毫欧 @ 8.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
58nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
760pF @ 25V
功率 - 最大：
3.8W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：
D2PAK
包装：
标准包装
其它名称：
IRF9530NSTRLPBFDKR

IRF9530NSPBF - 场效应管 MOSFET P沟道 -100V 14A D2-PAK
功耗, Pd: 3.8W
电流, Id 连续: -14A
针脚数: 3
封装类型: TO-263
在电阻RDS（上）: 200mohm
电压 @ Rds测量: -10V
阈值电压, Vgs th 典型值: -4V
漏源电压, Vds: -100V
晶体管极性: P沟道
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C

购买须知

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