IRLR024NTRPBF

商品描述

产品目录绘图：
IR Hexfet DPak
标准包装：
1
系列：
HEXFET?
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
17A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
65 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
15nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
480pF @ 25V
功率 - 最大：
45W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：
D-Pak
包装：
标准包装
产品目录页面：
1522 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
IRLR024NPBFDKR

制造商: International Rectifier

RoHS:   详细信息

晶体管极性: N-Channel

汲极/源极击穿电压: 55 V

闸/源击穿电压: 16 V

漏极连续电流: 17 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）: 110 mOhms

配置: Single

最大工作温度: + 175 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DPAK

封装: Reel

下降时间: 29 ns

栅极电荷 Qg: 10 nC

最小工作温度: - 55 C

功率耗散: 38 W

上升时间: 74 ns

工厂包装数量: 2000

典型关闭延迟时间: 20 ns

购买须知

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