IRF7805ZTRPBF

商品描述

产品目录绘图：
IR Hexfet 8-SOIC
标准包装：
1
系列：
HEXFET?
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
16A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
6.8 毫欧 @ 16A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2.25V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
27nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
2080pF @ 15V
功率 - 最大：
2.5W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SO
包装：
标准包装
产品目录页面：
1523 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
IRF7805ZPBFDKR

IRF7805ZTRPBF 8-SOIC

制造商:

International Rectifier

RoHS:

详细信息

晶体管极性:

N-Channel

汲极/源极击穿电压:

30 V

闸/源击穿电压:

20 V

漏极连续电流:

16 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

8.7 mOhms

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOIC-8

封装:

Reel

栅极电荷 Qg:

18 nC

功率耗散:

2.5 W

工厂包装数量:

4000

制造商: International Rectifier

RoHS:   详细信息

晶体管极性: N-Channel

汲极/源极击穿电压: 30 V

闸/源击穿电压: 20 V

漏极连续电流: 16 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）: 8.7 mOhms

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

封装: Reel

栅极电荷 Qg: 18 nC

功率耗散: 2.5 W

工厂包装数量: 4000

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