IRF7416TRPBF

商品描述

产品目录绘图：
IR Hexfet 8-SOIC
标准包装：
1
系列：
HEXFET?
;FET 型：
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
10A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
20 毫欧 @ 5.6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
92nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
1700pF @ 25V
功率 - 最大：
2.5W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SO
包装：
标准包装
产品目录页面：
1521 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
IRF7416TRPBFDKR

IRF7416TRPBF - 场效应管 MOSFET N 30V SO-8

场效应管 MOSFET N 30V SO-8 晶体管极性: P沟道
电流, Id 连续: 10A
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS（上）: 20mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
功耗, Pd: 2.5W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOIC
针脚数: 8
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
SMD标号: F7416
外宽: 4.05mm
外部深度: 5.2mm
外部长度/高度: 1.75mm
封装/箱盒: SOIC
???作温度范围: -55°C 至 +150°C
排距: 6.3mm
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: -10A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds: 30V
电压, Vds 典型值: 30V
电压, Vgs 最高: -20V
电流, Idm 脉冲: 45A
表面安装器件: SMD
针脚格式: 1 S
2 S
3 S
4 G
5 D
6 D
7 D
8 D
针脚配置: b

购买须知

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