IRLB8748PBF

商品描述

产品目录绘图：
IR Hexfet TO-220AB
特色产品：
30V MOSFET Family
标准包装：
50
系列：
HEXFET?
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
78A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
4.8 毫欧 @ 40A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2.35V @ 50μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
23nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
2139pF @ 15V
功率 - 最大：
75W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商设备封装：
TO-220AB
包装：
管件
产品目录页面：
1518 (CN2011-ZH PDF)

IRLB8748PBF

产品信息

场效应管 MOSFET N沟道 30V 78A TO220
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 40A
漏源电压, Vds: 30V
在电阻RDS（上）: 3.8mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1.8V
功耗, Pd: 75W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
MSL: (不适用)
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
封装/箱盒: TO-220AB
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
晶体管类型: 功率MOSFET
漏极电流, Id 最大值: 92A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 30V
电压, Vgs 最高: 1.8V
表面安装器件: 通孔

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