IRL3803VPBF

商品描述

产品目录绘图：
IR Hexfet TO-220AB
标准包装：
50
系列：
HEXFET?
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
140A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
5.5 毫欧 @ 71A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
76nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
3720pF @ 25V
功率 - 最大：
200W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商设备封装：
TO-220AB
包装：
管件
产品目录页面：
1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
*IRL3803VPBF

IRL3803VPBF

制造商:

International Rectifier

RoHS:

详细信息

晶体管极性:

N-Channel

汲极/源极击穿电压:

30 V

闸/源击穿电压:

16 V

漏极连续电流:

140 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

7.5 mOhms

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

TO-220AB

封装:

Tube

栅极电荷 Qg:

50.7 nC

功率耗散:

200 W

工厂包装数量:

50

制造商: International Rectifier

RoHS:   详细信息

晶体管极性: N-Channel

汲极/源极击穿电压: 30 V

闸/源击穿电压: 16 V

漏极连续电流: 140 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）: 7.5 mOhms

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220AB

封装: Tube

栅极电荷 Qg: 50.7 nC

功率耗散: 200 W

工厂包装数量: 50

购买须知

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