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IRFB4410ZPBF
商品描述- 产品目录绘图：
IR Hexfet TO-220AB
- 标准包装：
50
- 系列：
HEXFET?
- ;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
97A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
9 毫欧 @ 58A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4V @ 150μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
120nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
4820pF @ 50V
- 功率 - 最大：
230W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商设备封装：
TO-220AB
- 包装：
管件
- 产品目录页面：
1518 (CN2011-ZH PDF)
场效应管 MOSFET N 100V TO-220AB 晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 97A
漏源电压, Vds: 100V
在电阻RDS（上）: 9mohm
电压 @ Rds测量: 20V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 230W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
MSL: (不适用)
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 230W
功耗, Pd: 230mW
器件标号: 4410
封装/箱盒: TO-220AB
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
栅极电荷 Qg N沟道: 83nC
漏极电流, Id 最大值: 96A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 100V
电压, Vgs 最高: 4V
电流, Idm 脉冲: 390A
表面安装器件: 通孔
阈值电压, Vgs th 最低: 2V
阈值电压, Vgs th 最高: 4V
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