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IRFB33N15DPBF
商品描述- 产品目录绘图：
IR Hexfet TO-220AB
- 标准包装：
50
- 系列：
HEXFET?
- ;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：
标准
- 漏极至源极电压(Vdss)：
150V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
33A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
56 毫欧 @ 20A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
5.5V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
90nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
2020pF @ 25V
- 功率 - 最大：
3.8W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商设备封装：
TO-220AB
- 包装：
管件
- 产品目录页面：
1518 (CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
*IRFB33N15DPBF
电流, Id 连续: 33A
功耗, Pd: 3.8W
针脚数: 3
漏源电压, Vds: 150V
阈值电压, Vgs th 典型值: 5.5V
封装类型: TO-220AB
在电阻RDS（上）: 56mohm
电压 @ Rds测量: 10V
晶体管极性: N沟道
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
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