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IRFB4229PBF
商品描述- 标准包装：
50
- 系列：
HEXFET?
- ;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：
标准
- 漏极至源极电压(Vdss)：
250V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
46A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
46 毫欧 @ 26A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
5V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
110nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
4560pF @ 25V
- 功率 - 最大：
330W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商设备封装：
TO-220AB
- 包装：
管件
场效应管 MOSFET N 250V TO-220AB 晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 46A
漏源电压, Vds: 250V
在电阻RDS（上）: 46mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 5V
功耗, Pd: 330W
工作温度最小值: -40°C
工作温??最高值: 175°C
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
MSL: (不适用)
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
功耗, Pd: 330W
功耗, Pd: 330mW
器件标号: 4229
封装/箱盒: TO-220AB
工作温度范围: -40°C 至 +175°C
栅极电荷 Qg N沟道: 72nC
漏极电流, Id 最大值: 46A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 250V
电压, Vgs 最高: 30V
电流, Idm 脉冲: 180A
表面安装器件: 通孔
阈值电压, Vgs th 最低: 3V
阈值电压, Vgs th 最高: 5V
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