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IRFB3077PBF
商品描述- 产品目录绘图：
IR Hexfet TO-220AB
- 标准包装：
50
- 系列：
HEXFET?
- ;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
75V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
120A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
3.3 毫欧 @ 75A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
220nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
9400pF @ 50V
- 功率 - 最大：
370W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商设备封装：
TO-220AB
- 包装：
管件
- 产品目录页面：
1518 (CN2011-ZH PDF)
场???应管 MOSFET N 75V TO-220 晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 210A
漏源电压, Vds: 75V
在电阻RDS（上）: 3.3mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 370W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
MSL: (不适用)
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
单脉冲雪崩能量 Eas: 240mJ
封装/箱盒: TO-220AB
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
漏极电流, Id 最大值: 210A
漏极连续电流, Id @ 100°C: 150A
漏极连续电流, Id @ 25°C: 210A
热阻 Rth: 0.4
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds: 75V
电压, Vds 典型值: 75V
电压, Vgs 最高: 4V
电容值, Ciss 典型值: 9400pF
电流, Idm 脉冲: 850A
表面安装器件: 通孔
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