IRFBA90N20DPBF

商品描述

产品目录绘图：
IR Hexfet Super-220
标准包装：
50
系列：
HEXFET?
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
98A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
23 毫欧 @ 59A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
240nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
6080pF @ 25V
功率 - 最大：
650W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
Super-220?-3（直引线）
供应商设备封装：
SUPER-220?（TO-273AA）
包装：
管件
产品目录页面：
1520 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
*IRFBA90N20DPBF

IRFBA90N20DPBF - 场效应管 MOSFET N沟道 200V 98A 超-220
针脚数: 3
电流, Id 连续: 98A
功耗, Pd: 650W
漏源电压, Vds: 200V
在电阻RDS（上）: 23mohm
封装类型: Super-220
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 5V
晶体管极性: N沟道
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C

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