STD2HNK60Z

商品描述

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STD2HNK60Z View All Specifications
产品目录绘图：
ST Series DPAK
标准包装：
1
系列：
SuperMESH&trade
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
2A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
4.8 欧姆 @ 1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4.5V @ 50μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
280pF @ 25V
功率 - 最大：
45W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：
D-Pak
包装：
标准包装
产品目录页面：
1542 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
497-6192-6

STD2HNK60Z-1 - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 2A TO-251
功耗, Pd: 45W
针脚数: 3
电流, Id 连续: 2A
在电阻RDS（上）: 4.4ohm
阈值电压, Vgs th 典型值: 3.75V
封装类型: TO-251
工作温度最高值: 150°C
漏源电压, Vds: 600V
电压 @ Rds测量: 10V
晶体管极性: N沟道
SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
工作温度最小值: -55°C

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