SI4825DDY-T1-GE3

商品描述

标准包装：
1
系列：
TrenchFET?
;FET 型：
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
14.9A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
12.5 毫欧 @ 10A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
86nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
2550pF @ 15V
功率 - 最大：
5W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：
8-SOIC（窄型）
包装：
标准包装
其它名称：
SI4825DDY-T1-GE3DKR

10900毫安，30 V，P，Si，小信号，MOSFET

封装：无卤素，符合RoHS，8 8-SOIC

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