IRF840LCSPBF

商品描述

标准包装：
1，000
系列：
-
FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
8A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
850 毫欧 @ 4.8A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
39nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
1100pF @ 25V
功率 - 最大：
3.1W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：
D2PAK
包装：
管件

IRF840LCSPBF 制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:   详细信息
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.85 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK
封装: Tube
下降时间: 19 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 3.1 W
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 27 ns

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