IRF7504TRPBF

商品描述

产品目录绘图：
IR Hexfet Micro-8
标准包装：
1
系列：
HEXFET?
;FET 型：
2 个 P 沟道（双）
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
1.7A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
270 毫欧 @ 1.2A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
700mV @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
8.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
240pF @ 15V
功率 - 最大：
1.25W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商设备封装：
Micro8?
包装：
标准包装
其它名称：
IRF7504TRPBFDKR

制造商: International Rectifier
RoHS:   详细信息
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: - 20 V
闸/源击穿电压: +/- 12 V
漏极连续电流: - 1.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 270 mOhms
配置: Dual
最大工作温度: + 150 C    安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Micro-8
封装: Reel
下降时间: 43 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） : 1.3 S
栅极电荷 Qg: 5.4 nC
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.25 W
上升时间: 35 ns
工厂包装数量: 4000
典型关闭延迟时间: 38 ns

购买须知

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