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IRF7343TRPBF
商品描述- 产品目录绘图：
IR Hexfet 8-SOIC
- 标准包装：
1
- 系列：
HEXFET?
- ;FET 型：
N 和 P 沟道
- FET 特点：
标准
- 漏极至源极电压(Vdss)：
55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
4.7A，3.4A
- 开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
50 毫欧 @ 4.7A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1V @ 250μA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：
36nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：
740pF @ 25V
- 功率 - 最大：
2W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：
8-SO
- 包装：
标准包装
- 产品目录页面：
1525 (CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
IRF7343PBFDKR
场效应管 MOSFET N/P沟道 55V 3.4A 8SOIC 晶体管极性: N和P沟道
电流, Id 连续: 4.7A
漏源电压, Vds: 55V
在电阻RDS（上）: 0.043ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
功耗, Pd: 2W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOIC
针脚数: 8
MSL: MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
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