FDG6301N

商品描述

产品培训模块：
High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告：
Mold Compound Change 12/Dec/2007
产品目录绘图：
MOSFET SC70-6 Pkg
标准包装：
1
系列：
-
FET 型：
2 个 N 沟道（双）
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
220mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
4 欧姆 @ 220mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
0.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
9.5pF @ 10V
功率 - 最大：
300mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装：
SC-70-6
包装：
标准包装
产品目录页面：
1608 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
FDG6301NDKR

MOSFET N-CHAN DUAL 25V SC70-6

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