IRF6662TRPBF

商品描述

产品目录绘图：
IR Hexfet Circuit
IR Hexfet Circuit
DirectFET
标准包装：
1
系列：
HEXFET®
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
标准
漏极至源极电压(Vdss)：
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
8.3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：
22 毫欧 @ 8.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
4.9V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
1360pF @ 25V
功率 - 最大：
2.8W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
DirectFET? 等容 MZ
供应商设备封装：
DIRECTFET? MZ
包装：
标准包装
产品目录页面：
1525 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：
IRF6662TRPBFDKR

MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

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