FDD7N25LZTM

商品描述

标准包装：
2，500
系列：
UniFET&trade
;FET 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：
6.2A
开态Rds（最大）@ Id， Vgs @ 25° C：
550 毫欧 @ 3.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：
2V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：
16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：
635pF @ 25V
功率 - 最大：
56W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：
TO-252，（D-Pak）
包装：
带卷 (TR)

FDD7N25LZ 6.2A，250伏，0.57欧姆，功率MOSFET的N沟道，Si，，，to-252aa

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